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IT之家 11 月 28 日音信，SK 海力士于 2025 年 11 月 16 日至 21 日在好意思国圣路易斯举行的大师顶级高性能筹算（HPC）嘉会超等筹算大会 2025（SC25）上，集合展示了面向东说念主工智能（AI）与高性能筹算时期的一系列先进存储时期。
本届展会上，SK 海力士重心展出了其 HBM、DRAM 及企业级固态硬盘（eSSD）三大中枢产物线，并斥地了面向 AI 与 HPC 哄骗场景的现场演示挨次。
在展台中枢区域，SK 海力士重心展示了包括大师首款 12 层堆叠 HBM4 在内的最新高带宽存储器产物。该产物于 2025 年 9 月最初齐备业界首发，单颗芯片集成 2,048 个 I/O 通说念，较上一代 HBM3 擢升一倍，带宽齐备权贵跃升；同期功耗后果擢升超 40%，是超大鸿沟 AI 筹算系统的理念念存储处分决议。此外，公司还聚拢英伟达（NVIDIA）展示了面前商场上性能最强的商用 HBM 产物 ——12 层堆叠 HBM3E，该产物将搭载于英伟达下一代 GB300 Grace Blackwell GPU 平台。
在 DRAM 展区，SK 海力士面向下一代工作器商场推出了基于 1c 节点（第六代 10 纳米级制程）的 DDR5 系列模组，包括 RDIMM 与 MRDIMM 产物，并重心呈现了 256 GB 容量的 3DS DDR5 RDIMM 与 256 GB DDR5 Tall MRDIMM。上述产物在高性能系统环境中展现出更高速度与更高能效，可为工作器及数据中心提供矜重可靠的启动保险。
IT之家注意到，企业级 SSD 方面，SK 海力士展示了隐蔽高容量、高性能需求的多款 eSSD 产物：
基于 176 层 4D NAND 时期的 PS1010 E3.S 与 PE9010 M.2；
禁受 238 层 NAND 的 PEB110 E1.S；
基于 QLC NAND 架构的 PS1012 U.2；
以及行业创始、搭载 321 层 QLC NAND 的 245 TB 超大容量 PS1101 E3.L。
上述产物不仅提供卓绝的存储容量，更通过 PCIe 4.0/5.0 高速 I/O 接口齐备极速数据微辞。此外，该公司还展出了面向多元化工作器部署环境的完好存储产物组合专业配资网，包括庸碌哄骗于初学级工作器与 PC 的 SATA 3 接口 SE5110 SSD。
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